جهت استفاده بهتر از گوگل کروم استفاده نمایید.
بخشی از متن اصلی:
در فصل اول قبل از هرچیز لازم است که ITOو ویژگی های آن معرفی شود. بنابراین در ابتدای این فصل ITOمعرفی شده و خواص و ویژگی های آن مورد بررسی قرار گرفته است. در این بخش خواص فیزیکی، الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک ITOبطور کامل آورده شده است.
در بخش دوم این فصل روشهای لایه نشانی متداول برای لایه نشانی ITOآورده شده است و سعی شده تا حد امکان توضیحاتی برای هر کدام از روشها داده شود.
روش لایه نشانی مورد استفاده در این پروژه یعنی کندوپاش بطور کامل در فصل چهارم توضیح داده شده است. در بررسی روشهای لایه نشانی سعی شده است که مزایا و محدودیتهای هر کدام توضیح داده شود.
در قسمت پایانی این فصل نیز به بررسی تماس نیمه هادی به ITOپرداخته شده و با استفاده از تحلیل دیاگرام باند انرژی تماس MS ویژگی های ماس ITOبه نیمه هادی تحلیل شده است.
In2O3:Snکه اینیدم قلع اکسید یا به اختصار (ITO) نامیده می شود، یک نیمه هادی دژنره نوع nاست. این ماده که یکی از معروفترین اکسیدهای رسانای شفاف (TCO) است دارای گپ پهن و باند ممنوعه اپتیکی مستقیم است.
اصلی ترین ویژگی ITO، رسانایی آن در عین شفافیت آن است. ITOنور مرئی را از خود عبور می دهد اما در مقابل نور مادون قرمز از خود خاصیت بازتابی نشان می دهد. همین ویژگی است که ITOرا به عنوان یک اکسید رسانای شفاف برای کاربرهای گوناگون الکترونیکی مناسب می سازد.
گرچه رسانایی در عین شفافیت ویژگی اصلی ITOبه شمار می رود اما ویژگی های مهم دیگری نز وجود دارند که ITOرا تبدیل به یک ماده خاص می کند. این ویژگی ها عبارتند از: مقاومت ورقه ای کم، لایه گذاری آسان، استحکام حرارتی بدون تغییر در مقاومت ورقه ای، ایستادگی شیمیایی و ...
این فایل به همراه چکیده، فهرست، متن اصلی و منابع با فرمت doc( قابل ویرایش ) در اختیار شما قرار می گیرد.