امتیاز : 13

فهرست

انواع ديودهاي قدرت 

ديودهاي همه منظوره 

ديودهاي بازيابي سريع 

ديودهاي شاتكي 

اثرات زمان بازيابي معكوس و مستقيم 

 انواع تريستورها 

 تريستورهاي كنترل فاز 

تريستورهاي كليدزني سريع

تريستورهاي خاموش شونده با گيت

مزاياي GTO نسبت به SCR به اين شرح است 

تريستورهاي دو جهته يا ترياك

تريستورهاي هدايت معكوس 

ترانزيستورهاي پيوند دو قطبي 

MOSFET هاي قدرت 

محافظت از وسايل و مدارها 

خنك سازي و گرماگير ها 

حفاظت ولتاژ با ديودهاي سلنيوم ومقاومتهاي متغير اكسيد فلزي 

حفاظت جريان 

استفاده از فيوز 

 

 

انواع ديودهاي قدرت 

در حالت ايده آل ديود نبايد هيچ زماني بازيابي معكوسي داشته باشد كه هزينه ساخت ديود را افزايش مي دهد . در بسياري از كاربردهاي اثرات زمان بازيابي معكوس چندان اهميت ندارند و مي توان از ديود از ديودهاي ارزان استفاده كرد . بسته به مشخصه هاي بازيابي و روشهاي ساخت ، ديودهاي قدرت را به سه گروه مي توان تقسيم كرد . مشخصه ها و محدوديت هاي عملي هر گروه كاربردشان را مشخص مي كند .

1- ديودهاي استاندارد يا همه منظوره 

2- ديودهاي بازيابي سريع 

3- ديودهاي شاتكي 

 انواع تريستورها 

تريستورها تقريبا تنها به روش تزريق ساخته مي شوند . جريان آند براي انتشار از نزديكي گيت به تمام سطح پيوند ( هنگامي كه سيگنال جهت روشن كردن تريستور اعمال مي شود ) به زمان معيني نياز دارد . 

سازندگان براي كنترل di/ dt ، زمان روشن شدن و زمان خاموش شدن ، از ساختارهاي متفاوتي براي گيت استفاده مي كنند . تريستورها بسته به ساختار فيزيكي و محوه روشن و خاموش شدن ، به 9 دسته زير تقسيم مي شوند : 

1- تريستورهاي كنترل فاز ( SCR ) 

2- تريستورهاي كليد زني سريع ( SCR )

3- تريستورهاي خاموش شونده با گيت (  GTO)

4- تريستورهاي سه  قطبيدو جهته ( TRIAC )

5- تريستورهاي هدايت معكوس 

MOSFET هاي قدرت 

ترانزيستور پيوند دو قطبي عنصري كنترل شونده با جريان است و براي داشتن جريان در كلكتور به جريان بيس نياز دارد . چون جريان كلكتور وابسته به جريان ورودي       مي باشد ، بهره جريان به دماي پيوند بستگي زيادي دارد .

MOSFET قدرت يك عنصر كنترل شونده باولتاژ است و تنها به جريان ورودي كمي نياز دارد . سرعت كليد زني بسيار بالاست و زمانهاي كليد زني در حد نانو ثانيه مي باشند . MOSFET هاي قدرت كاربردهاي بسياري در مبدلهاي توان پايين و فركانس بالا يافته اند . MOSFET ها از لحاظ تخليه الكترو استاتيك داراي مشكلاتي هستند و كار كردن با آنها مستلزم مراقبتهاي ويژه است . به علاوه محافظت آنها تحت شرايط خطاي اتصال كوتا به نسبت مشكل است .

محافظت از وسايل و مدارها 

به خاطر پروسه بازريابي معكوس عناصر قدرت و عمل كليد زني هنگام وجود اندوكتانس در مدار ، ولتاژهاي گذرا در مدارهاي مبدل رخ مي دهند . حتي در مدارهايي كه به دقت طراحي شده اند ، ممكن است شرايط خطاي اتصال كوتاه وجود داشته باشد كه منجر به عبور جريان خيلي زياد از قطعات ميگردد . گرماي توليدي ناشي از تلفات در يك عنصر نيمه هادي بايد به طور موثر و كار آمدي از بين رود تاقطعه در داخل محدوده گرمايي خود كار كند . كاركرد مطمئن يك مبدل نيازمند آن است كه همواره با فراهم كردن محافظت در برابر ولتاژ زياد ،جريان زياد و گرماي زياد خاطر جمع باشيم كه شرايط مدار هيچگاه از مقدارهاي مجاز فراتر نمي روند . در عمل عناصر قدرت در برابر 1) گرماي زياد به وسيله گرماگيرها  2) dvdt,di/dt زياد به وسيله مدارهاي اسنابر  3 ) سيگنالهاي گذراي بازيابي معكوس ،  4 ) سيگنالهاي گذراي سمت منبع و بار و  5 ) وضعيت خطا ناشي از فيوزها ، محافظت مي شوند.

 

  گزارش تخلف  |  افزودن به فایل های من | mjavad25 | تاریخ ارسال : 28 /11 /1393

شما هم می توانید در مورد این فایل نظر دهید.